Substrato di Sic

I substrati in carburo di silicio (SiC) sono realizzati con un materiale molto puro che combina silicio e carbonio. Il processo di produzione inizia con una tecnica ad alta temperatura chiamata trasporto fisico di vapore (PVT). In questo processo, la polvere di silicio e carbonio si trasforma in vapore e poi si raffredda per formare un grande cristallo chiamato boule.
La boule viene poi tagliata in sottili fette note come wafer e lucidate per renderle lisce e riflettenti. Questa attenta produzione assicura che ogni substrato SiC possa sopportare alte temperature, conduca bene l'elettricità e sia molto resistente. Queste caratteristiche sono ideali per l'uso in elettronica che deve funzionare in condizioni difficili, come nei dispositivi di potenza, nei sensori che funzionano ad alte temperature e nei sistemi utilizzati in ambienti difficili. I substrati in carburo di silicio aiutano a rendere i dispositivi elettronici più efficienti, durevoli e potenti.

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