Lingotto di silicio raffinato-di cristallo

Lingotto di silicio raffinato-di cristallo

Il nostro lingotto di silicio raffinato di cristallo- è progettato attraverso processi avanzati di raffinazione termica che migliorano l'uniformità cristallina e riducono lo stress strutturale.

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introduzione al prodotto

Lingotto di silicio raffinato-di cristallo

Il lingotto di silicio raffinato-di cristallo è progettato per "Mega-Fabs" doveAffidabilità meccanicaè un KPI non-negoziabile. Riconoscendo che la turbolenza termica durante la crescita Czochralski spesso intrappola la "tensione latente" all'interno della rete atomica, questi lingotti subiscono un processo proprietarioCinetica di ricristallizzazione secondariaprotocollo. Questo metodo della generazione 2026- utilizza zone di ricottura stabilizzate sotto vuoto per ottenereStress-Rilassamento sul camposu tutto il diametro. Il risultato è unMatrice cristallina ad alta-isotropa, ottenendo wafer che rimangono perfettamente piatti anche dopo l'attacco chimico aggressivo e i budget ad alta-temperatura della moderna produzione TOPCon e BC di tipo N-. Questo perfezionamento strutturale aumenta notevolmenteElaborazione dell'adattamento cinematico, proteggendo l'OEE (Overall Equipment Effectiveness) della vostra struttura riducendo al minimo la propagazione delle micro-cricche durante il taglio del filo diamantato-ad alta velocità.

Raffinazione termica avanzata per uniformità cristallina:La nostra tecnologia Crystal-Refined utilizza la tecnologia 2026-genModulazione del campo-termico{1}}monitorato dall'AI. Garantendo che l'interfaccia di solidificazione sia perfettamente planare, forniamo un substrato con una deriva dell'orientamento longitudinale quasi-zero, garantendo che ogni wafer risponda in modo identico all'incisione della texture.

Stress strutturale ridotto per prestazioni di taglio superiori:Specificamente ottimizzati per il filo diamantato inferiore a 15 μm, questi lingotti agiscono come unStabilizzatore strutturale. La riduzione della coppia interna consente un percorso del filo-più stabile, producendo wafer con-leader del settoreTTV (Variazione dello spessore totale)e riducendo la-perdita-di silicio per-watt ai minimi storici.

Parametri elettrici stabili per moduli ad alta-efficienza:Progettati per il mercato premium globale "720W+", questi lingotti forniscono una base ad alta-fedeltà che resiste alla formazione di donatori termici. Ciò garantisce che la resistività target rimanga costante durante l'intero percorso di creazione della cella, garantendo il rendimento energetico (EY) a lungo termine e la bancabilità richiesti dalle parti interessate su scala di utilità.

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