Wafer di silicio da 12 pollici
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Wafer di silicio da 12 pollici

Wafer di silicio da 12 pollici

I nostri wafer di silicio da 12-pollici sono realizzati per soddisfare i severi requisiti dell'attuale settore dei semiconduttori. Con opzioni di personalizzazione flessibili disponibili per diametro, spessore e altre specifiche chiave, questi wafer offrono precisione e affidabilità eccezionali, su misura per le esigenze specifiche di ciascun cliente.

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introduzione al prodotto
Panoramica del prodotto

 

I nostri wafer di silicio da 12-pollici sono realizzati per soddisfare i severi requisiti dell'attuale settore dei semiconduttori. Con opzioni di personalizzazione flessibili disponibili per diametro, spessore e altre specifiche chiave, questi wafer offrono precisione e affidabilità eccezionali, su misura per le esigenze specifiche di ciascun cliente.

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Caratteristiche principali

 

Diametro

12 pollici

Gradi di qualità

Prime / Test / Fittizio

Tecniche di crescita

CZ (Czochralski) / FZ (Zona Flottante)

Orientamento del cristallo

<100>, <111>, <110>, <511>, <311>

Tipi di drogante

Tipo P (boro), tipo N (fosforo, arsenico, antimonio)

Spessori disponibili

775 μm, 925 μm, con ulteriore personalizzazione disponibile

Tolleranza sullo spessore

Norma ± 25μm; Capacità di precisione fino a ± 5 μm

Intervallo di resistività

0.001 a 100 ohm-cm

Finitura superficiale

P/E (lucido/inciso), P/P (lucido/lucido), E/E (inciso/inciso), G/G (macinato/macinato)

Variazione dello spessore totale (TTV)

Norma < 10μm; Migliorato < 5 μm

Arco/Deformazione

Norma < 40μm; Migliorato < 20 μm

 

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