Strato sottile di wafer di silicio

Strato sottile di wafer di silicio

Forniamo una gamma completa di wafer di silicio semiconduttore ad alta-purezza, che copre tutti i diametri standard daDa 2 pollici a 12 pollici (50 mm - 300 mm). La nostra linea di prodotti è progettata per supportare una vasta gamma di esigenze di produzione, dalla ricerca specializzata e supporto di dispositivi legacy alla fabbricazione di circuiti integrati (IC) di prossima- generazione in volumi elevati.

Versatilità-a grandezza naturale:Sia che tu abbia bisogno di wafer di piccolo-diametro (2", 3", 4", 5", 6") per MEMS e dispositivi discreti, o di substrati di-scala di grandi dimensioni (8", 12") per logica e memoria avanzate, offriamo una qualità costante e di livello-semiconduttore su tutta la linea.

Controllo preciso-del livello sottile:I nostri wafer sono caratterizzati da un'uniformità di spessore e una planarità superficiale a livello atomico-superiori, ottimizzati specificatamente per processi di crescita epitassiale, CVD e PVD ad alta-precisione.

Base di produzione affidabile:Progettato per la massima stabilità termica e integrità meccanica, garantendo risultati di produzione stabili e un'elevata affidabilità del dispositivo in condizioni estreme.

Focus applicativo rigoroso:Concentrato al 100%.applicazioni di semiconduttori di livello elettronico-(Dispositivi di potenza, RF, IC, sensori). Manteniamo una rigorosa politica di zero contaminazione incrociata con materiali di tipo fotovoltaico.

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