Wafer di silicio sottile
I nostri wafer di silicio sottili sono progettati per applicazioni che richiedono substrati di silicio ultrasottili, con spessori compresi tra 80μm e 200μm. Questi wafer sono ideali per componenti elettronici flessibili, sensori e altre tecnologie all'avanguardia che richiedono flessibilità e prestazioni elevate. La sottigliezza di questi wafer consente una leggera flessione senza compromettere l'integrità strutturale, rendendoli adatti per applicazioni innovative nella ricerca e nella produzione avanzata.
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Panoramica del prodotto
I nostri wafer di silicio sottili sono progettati per applicazioni che richiedono substrati di silicio ultrasottili, con spessori compresi tra 80μm e 200μm. Questi wafer sono ideali per componenti elettronici flessibili, sensori e altre tecnologie all'avanguardia che richiedono flessibilità e prestazioni elevate. La sottigliezza di questi wafer consente una leggera flessione senza compromettere l'integrità strutturale, rendendoli adatti per applicazioni innovative nella ricerca e nella produzione avanzata.
Caratteristiche principali
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Spessore ultrasottile |
Disponibile da 80μm a 200μm, sufficientemente sottile da consentire flessibilità e flessione |
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Orientamento del cristallo |
<100>, <111>, <110> |
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Diametri disponibili |
2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici, 12 pollici |
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Gradi di qualità |
Prime / Test / Fittizio |
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Metodi di crescita |
CZ (Czochralski) / FZ (Zona Flottante) |
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Tipi di drogante |
Tipo P (boro), tipo N (fosforo, arsenico, antimonio) o non drogato |
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Finiture superficiali |
P/E (lucido/inciso), P/P (lucido/lucido) |
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Variazione dello spessore totale (TTV) |
Norma < 10μm; Avanzato < 5 μm |
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