Lingotto di silicio mono PrimeAxis

Lingotto di silicio mono PrimeAxis

PrimeAxis Mono Silicon Ingot è progettato per celle solari di alta qualità e dispositivi di alimentazione ad alta-tensione in cui la ricombinazione degli elettroni deve essere ridotta al minimo alla fonte. Riconoscendo che la deriva dell'orientamento durante il processo di estrazione è una causa primaria di diffusione non-uniforme, questi lingotti vengono coltivati ​​utilizzando un protocollo di seme stabilizzato proprietario-che blocca il reticolo cristallino in un $ perfetto<100>$ o $<111>$ allineamento. Ciò garantisce concentrazioni di difetti estremamente basse e una netta uniformità nella durata del portatore, consentendo la fabbricazione di celle con tensioni a circuito aperto-superiori ($V_{oc}$). La robustezza meccanica durante il taglio a filo consente la produzione di wafer ultra-sottili (fino a90 μm) riducendo al contempo le perdite per rottura in-ambienti automatizzati ad alta velocità. Sono disponibili intervalli di resistività personalizzati, tipi di droganti (tipo N-/tipo P-) e specifiche del diametro per un'integrazione perfetta nelle strutture di wafering automatizzate, garantendo che ogni lingotto funga da risorsa "pronta-per-tagliare" per i produttori Tier-1.

Controllo dell'orientamento del seme ad alta stabilità-:La nostra tecnologia PrimeAxis utilizza il posizionamento del seme allineato al laser e la compensazione della rotazione in tempo reale per evitare la torsione del reticolo durante la crescita. Il risultato è un lingotto con uno "scheletro" cristallino perfettamente uniforme, che è il requisito fondamentale per celle di tipo N- ad alta efficienza che richiedono un drogaggio preciso di fosforo o boro.

Forte uniformità nella durata del trasportatore:Eliminando le dislocazioni microscopiche che agiscono come trappole di carica-, i lingotti PrimeAxis raggiungono un profilo di durata "Flat-Line" dal centro al bordo. Questa uniformità garantisce che tutti i wafer dello stesso lotto rispondano in modo identico alla testurizzazione e alla passivazione, semplificando il processo di binning e aumentando la percentuale di celle "Champion".

Resistenza meccanica per affettatura da 90μm:Progettati per la spinta del 2026 verso il silicio ultrasottile, questi lingotti presentano un profilo strutturale precompresso -che resiste alla deformazione. Questa integrità meccanica consente velocità di avanzamento della sega a filo più veloci-con danni sub{5}}superficiali (SSD) minimi, proteggendo il tasso di recupero netto del produttore e riducendo il costo totale-per-wafer.

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