Lingotto di silicio ultra-liscio

Lingotto di silicio ultra-liscio

Il lingotto di silicio ultra-liscio è progettato per i produttori che spingono i limiti della tecnologia dei wafer-sottili e della produzione automatizzata ad alta-velocità. Riconoscendo che la rugosità superficiale è una manifestazione diretta dello stress residuo del lingotto, questi lingotti vengono coltivati ​​utilizzando un metodo brevettatoStress isotermico-Neutralizzazioneprotocollo. Ciò garantisce che la matrice cristallina sia rilassata e uniforme dal nucleo al perimetro. Durante la fase di taglio, il materiale mostra una "risposta atermica", ovvero il filo diamantato scivola attraverso il silicio con attrito e vibrazioni minimi. Il risultato è una superficie del wafer "Near-Prime" che richiede una quantità notevolmente inferiore di incisione chimica e lucidatura, riducendo direttamente le spese operative (OpEx) e preservando l'integrità meccanica del substrato.

Progettato per ridurre al minimo le sollecitazioni interne:La nostra tecnologia Ultra-Smooth utilizza il profilo termico avanzato "Slow-Cool" e la stabilizzazione della fusione elettromagnetica. Eliminando le rapide fluttuazioni di temperatura che "bloccano" lo stress nel cristallo, produciamo un lingotto con un reticolo stabilizzato, garantendo che i wafer rimangano perfettamente piatti e privi di stress-anche dopo essere stati tagliati fino a ridurli a pezzi90 μm.

Riduzione della formazione di microfessure e dei danni sub-superficiali (SSD):Ottimizzati specificatamente per il taglio a filo diamantato-ad alta{2}}tensione della generazione 2026, questi lingotti presentano una densità omogenea che resiste alla frattura fragile. Questa riduzione dell'avvio di microcrack garantisce un "Tasso di recupero netto" più elevato e impedisce la propagazione dei difetti durante le successive fasi di diffusione ad alta temperatura-e di assemblaggio delle celle.

Superfici lisce dei wafer per una passivazione ottimizzata:La natura "Ultra-Smooth" dei wafer risultanti fornisce una base superiore per i processi ALD (Atomic Layer Deposition) e PECVD. Con meno picchi e valli superficiali, gli strati di passivazione possono essere applicati in modo più uniforme, riducendo significativamente la ricombinazione dei portatori e aumentando l'efficienza di conversione finale delle architetture TOPCon e HJT.

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