Wafer di silicio non drogato
I nostri wafer di silicio non drogati sono prodotti utilizzando silicio di elevata purezza senza l'aggiunta di droganti. Questi wafer sono ideali per applicazioni che richiedono elevata resistività e concentrazioni minime di portatori di carica. A causa dell'assenza di elementi droganti, i wafer non drogati mostrano tipicamente una resistività elettrica molto più elevata rispetto ai wafer drogati, rendendoli adatti per applicazioni specializzate come sensori, ricerca ed elettronica avanzata.
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introduzione al prodotto
Panoramica del prodotto
I nostri wafer di silicio non drogati sono prodotti utilizzando silicio di elevata purezza senza l'aggiunta di droganti. Questi wafer sono ideali per applicazioni che richiedono elevata resistività e concentrazioni minime di portatori di carica. A causa dell'assenza di elementi droganti, i wafer non drogati mostrano tipicamente una resistività elettrica molto più elevata rispetto ai wafer drogati, rendendoli adatti per applicazioni specializzate come sensori, ricerca ed elettronica avanzata.
Caratteristiche principali
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Alta resistività |
I nostri wafer non drogati offrono livelli di resistività superiori a 1.000 ohm-cm, 2.000 ohm-cm, 5.000 ohm-cm e persino 10.000 ohm-cm, a seconda dei requisiti applicativi specifici. |
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Orientamento del cristallo |
<100>, <111>, <110>(orientamenti personalizzati disponibili) |
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Diametri disponibili |
2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici, 12 pollici |
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Gradi di qualità |
Prime / Test / Fittizio |
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Metodi di crescita |
CZ (Czochralski) / FZ (zona flottante) |
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Opzioni di spessore |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, con spessori personalizzati disponibili |
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Finiture superficiali |
P/E (lucido/inciso), P/P (lucido/lucido), E/E (inciso/inciso) |
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Variazione dello spessore totale (TTV) |
Norma < 10μm; Avanzato < 5 μm |
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Arco/Deformazione |
Norma < 40μm; Avanzato < 20 μm |
Etichetta sexy: wafer di silicio non drogato, produttori, fornitori, fabbrica di wafer di silicio non drogato in Cina
